정 바이어스

정 바이어스 정 바이어스
정 바이어스 전압 V는 장벽 높이를 φbi에서 φbi-V 로 축소시키며, 이는 드리프트 전계를 축소시키고, 제로바이어스에서 존재하던 확산과 드리프트 간의 평형을 깨뜨려, 전자들이 N쪽에서 P쪽으로 확산할 수 있게 됨 : 소수-캐리어 주입(minority-carrier injection)
유사하게, 정공은 P쪽에서 N쪽으로 주입
장벽이 축소되면, N쪽에서 “볼츠만 꼬리(Boltzmann tail)”에 해당하는 부분의 많은 전자들이 P쪽으로 움직일 수 있어, 장벽이 높았을 때보다 더 많은 수의 전자가 xP에 존재하게 되고, 더 많은 수의 정공이 xN에 존재함

유사평형 경계조건 (쇼클리 경계조건)

정 바이어스 전압 V 가 공핍층 가장자리에서의 소수 캐리어 농도를
인자 배만큼 증가시킴
인자 의 크기는 보통 0.6V 정 바이어스일 때 1010
위 식의 V 는 양(정 바이어스)일 수도 있고 음(역 바이어스)일 수도 있음
V 가 큰 음수일 때, n(xP)와 p(xN)이 0이 되는 상황 : 소수 캐리어 추출
다음의 과잉 소수 캐리어(excess minority carrier) 농도를 기억하라.